28.03.2024 23:50

Новые чипы Navitas нацелены на огромный рынок в $1,3 трлн

Компания — производитель электронных компонентов Navitas Semiconductor Corporation (NASDAQ: NVTS) скоро представит компоненты для силовой электроники нового поколения. Компания предлагает сразу два наиболее востребованных типа перспективных полупроводников: на основе нитрида галлия (GaN) и карбида кремния (SiC). Таким образом общий адресный рынок Navitas оценивается в $1,3 трлн.


Navitas представит свои новые разработки на конференции Power Electronics International, которая пройдет 16–17 апреля 2024 года в Бельгии.

В основном это силовая электроника на базе полупроводниковых материалов GaN и SiC, способных выдержать сильный нагрев, высокие напряжения и большие токи.


Так, Navitas планирует представить мосфет SiC для управления питанием мощностью 3,3 кВт. Такие компоненты применяются в энергетике для распределения энергии, передачи энергии от солнечных панелей на инвертеры, управления бытовыми системами высокой мощности.


Преимуществом является возможность создания компактных двунаправленных устройств. Наиболее популярное из них — это зарядная станция для автомобилей, которая может не только заряжать машину, но и брать энергию обратно, используя аккумулятор авто как домашний «повербанк».


В целом, новая силовая электроника — очень перспективное направление, поскольку растет спрос на новые технологии для сглаживания колебаний мощности в электросетях, а также виртуальные электростанции. В последнем случае множество домашних солнечных панелей отдают избыточную мощность в сеть, а умная система распределения использует эти излишки для снижения риска перегрузки и отключения сети.


Есть и более специализированные, но не менее важные направления для продаж новинок Navitas. Компоненты на базе GaN и SiC могут применяться в очень распространенных реле времени, защите от перенапряжений, контролерах и других устройствах автоматизации. Они используются повсеместно: от управления домашним освещением до больших линий промышленного оборудования. Характеристики GaN и SiC позволяют сделать такую автоматику для больших токов и напряжений. В итоге можно будет отказаться от множества нынешних промежуточных устройств и резко сократить сложность электросистем.  


К завершению торгов 28 марта акция NVTS стоила $4,74. Рыночная капитализация составила $850,54 млн.